{"id":1276,"date":"2019-11-28T15:10:43","date_gmt":"2019-11-28T14:10:43","guid":{"rendered":"https:\/\/ceo.oric.org\/?p=1276"},"modified":"2019-11-28T15:10:43","modified_gmt":"2019-11-28T14:10:43","slug":"journal-du-hard-21-cartouches-telestratviii-big-cartouche-avec-ram","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/oric.bqtt.net\/index.php\/2019\/11\/28\/journal-du-hard-21-cartouches-telestratviii-big-cartouche-avec-ram\/","title":{"rendered":"Journal du hard (21) Cartouches TELESTRAT(VIII) BIG cartouche avec RAM"},"content":{"rendered":"\n

Par Claude S et Andr\u00e9 C<\/p>\n\n\n\n

https:\/\/www.oric.org\/ftp\/ceo\/ceomag\/downloads\/1999\/ceomag\/06_june\/110-10-13.pdf<\/a><\/p>\n\n\n\n

COMMENT \u00c9QUIPER LA BIG-CARTOUCHE AVEC DE LA RAM ?<\/a><\/p>\n\n\n\n

Pour \u00eatre vraiment universelle, la “big-cartouche” doit aussi accepter de la RAM. Premier probl\u00e8me, trouver une puce de RAM de 64 koctets (512 kbits), compatible avec le circuit imprim\u00e9 de Fran\u00e7ois S. c\u2019est \u00e0 dire avec le brochage des EPROM de la famille 27xxx. Il existe de nombreux types de RAM et en ce qui nous concerne, nous avons besoin de RAM statique sans rafra\u00eechissement, c’est \u00e0 dire appartenant aux familles 43xxx ou 62xxx comme celles livr\u00e9es par ORIC ou encore \u00e0 la famille 55xxx qui est \u00e9galement compatible.<\/p>\n\n\n\n

Revenons\nen aux puces de 32 koctets de RAM. Il serait bien s\u00fbr possible de souder en\nparall\u00e8le, broche \u00e0 broche deux RAM 62256 ou 55256 ou 43256, comme c’est le cas\ndans les cartouches RAM d’origine ORIC, mais, comme nous l’avons d\u00e9j\u00e0 indiqu\u00e9 \u00e0\nplusieurs reprises, nous sommes oppos\u00e9s \u00e0 cette strat\u00e9gie qui rend tr\u00e8s\ndifficile la maintenance (l’usage de deux supports de circuit int\u00e9gr\u00e9 est\nimpossible pour cause d’encombrement excessif).<\/p>\n\n\n\n

Comme\npour les EPROM, il serait int\u00e9ressant d’utiliser des puces de 64 koctets \u00e0 28\nbroches. Mais h\u00e9las, il n’existe pas de 43512, 62512 ou 55512. Nous sommes donc\noblig\u00e9s d\u2019utiliser des RAM de 128 koctets (c\u2019est \u00e0 dire 128 x 8 = 1024 kbits) \u00e0\n32 broches de type 431000, 551001, 621000, 621001 ou 628128 selon le fabriquant.<\/p>\n\n\n\n

Bien\ns\u00fbr, nous n’avons besoin que la moiti\u00e9 de cette RAM, puisque pour faire 4\nbanques de 16 koctets il faut 64 koctets soit 64 x 8 = 512 kbits. Mais nous allons en\nprofiter pour faire une double cartouche: un interrupteur permettra de passer\nd’une extension RAM 64K \u00e0 l’autre (pour simplifier nous dirons d’une demi- RAM\n\u00e0 l’autre). C’est votre TELESTRAT qui va \u00eatre content de r\u00e9cup\u00e9rer 64K de plus!<\/p>\n\n\n\n

Si vous \u00eates bricoleur, rien ne vous emp\u00eache de basculer\nentre les deux demi-RAM \u00e0 l’aide du signal PB5, comme nous l\u2019avons fait avec la\nROM de I’ATMOS. Votre TELESTRAT disposera alors de 128 koctets de RAM,\naccessibles par programmation. Mais pensez tout de m\u00eame \u00e0 v\u00e9rifier si le soft\ndu TELESTRAT respecte PB5 (voir ce que nous avons fait pour I\u2019ATMOS dans la rubrique\n“SEDORIC? DO IT YOURSELF” n\u00b020, CEO-MAG n\u00b090 d’octobre 1997, pages 9\net 10).<\/p>\n\n\n\n

BROCHAGE\nCOMPARATIF DES EPROM ET DES RAM<\/a><\/p>\n\n\n\n

Nous avons r\u00e9ussi \u00e0 utiliser une TC551001-70 et une D431000ACZ-70 (32 broches, 128 koctets). Mais finalement, la 621001 (m\u00eame brochage) semble plus courante et donc plus facile \u00e0 trouver. La figure 15 vous montre les brochages comparatifs des 62256 (identiques aux 43256 utilis\u00e9es en paire dans les cartouches RAM d’origine Oric), 621001 (que nous pr\u00e9conisons) et de l’EPROM 27C010 (pour m\u00e9moire, puisque c’est notre circuit de r\u00e9f\u00e9rence, celui pour lequel la carte et le support de la “big-cartouche” avaient \u00e9t\u00e9 con\u00e7us).<\/p>\n\n\n\n

Prenez quelques minutes pour comparer le brochage de la RAM 621001 \u00e0 celui de l’EPROM 27010. Cinq broches seulement different:
<\/p>\n\n\n\n

  1. La broche n\u00b01: Rafra\u00eechissement des donn\u00e9es (ex mode programmation, devenu inutile!).<\/li>
  2. La broche n\u00b029 devient WE <\/s>au lieu de A14.<\/li>
  3. La broche n\u00b03 devient A14 au lieu de A15.<\/li>
  4. La broche n\u00b031 devient A15 au lieu de ROMDIS (\u00e9galement inutile!).<\/li>
  5. Et enfin la broche 30, qui \u00e9tait non connect\u00e9e, re\u00e7oit une nouvelle fonction CE2<\/s>.<\/li><\/ol>\n\n\n\n
    \"\"<\/figure><\/div>\n\n\n\n

    LE SCH\u00c9MA DE LA\nBIG-CARTOUCHE RAM<\/a><\/p>\n\n\n\n

    Nous avons expliqu\u00e9 dans le Journal du Hard pr\u00e9c\u00e9dent, comment utiliser 8 diodes pour d\u00e9coder les d\u00e9sirs du TELESTRAT et lui pr\u00e9senter la banque qu’il demande. Notre figure 12a reste valable du point de vue th\u00e9orique. Seuls changent les noms des banques (1 \u00e0 4 au lieu de 4 \u00e0 7) et par cons\u00e9quent des CS (CS0 \u00e0 CS6 au lieu de CS0 \u00e0 CS3) changent.<\/p>\n\n\n\n

    Passons donc directement \u00e0 notre sch\u00e9ma mi-th\u00e9orique mi-pratique. Ce type de repr\u00e9sentation doit maintenant vous \u00eatre familier. Au menu, comme pr\u00e9c\u00e9demment, relier les broches du connecteur TELESTRAT \u00e0 celle du circuit int\u00e9gr\u00e9, tout en assurant le d\u00e9codage des lignes de contr\u00f4les CS3 \u00e0 CS6 Pas de nouveaut\u00e9 en ce qui concerne la masse, les lignes A0 \u00e0 A13 et les lignes de donn\u00e9es. Peu de modifications pour le reste des connexions.<\/p>\n\n\n\n

    Les lignes\nd’adressage A14, A15 et A16<\/p>\n\n\n\n

    1. Tout d’abord, A16 (qui “divise” la RAM en deux “demi-RAM”) est soit tir\u00e9e au +5V \u00e0 travers une r\u00e9sistance de 4,7 kohms, soit mise \u00e0 la masse par un interrupteur. Si vous envisagez d’utiliser le signal PB5 de votre TELESTRAT pour basculer entre les deux demi-RAM, un simple fil devra relier cette ligne A16 \u00e0 la broche n\u00b015 du 6522 (voir le Journal du Hard n\u00b09).<\/li>
    2. L’emplacement des lignes A14 et A15 est diff\u00e9rent entre les EPROM et les RAM (figure 15). Mais en fait, comme nous l’avons expliqu\u00e9 \u00e0 plusieurs reprises, le TELESTRAT n’utilise que les lignes d’adressage AO \u00e0 A13 (pour lire et \u00e9crire dans l’espace d’une seule banque \u00e0 la fois soit 16 koctets). Les deux lignes d’adressage A14 et A15 permettent de “diviser” la demi-RAM en 4 banques de 16 koctets. Le niveau de ces lignes A14 et A15 est manipul\u00e9 \u00e0 l’int\u00e9rieur de la cartouche en fonction de l’\u00e9tat des lignes de commandes pilot\u00e9es par le TELESTRAT. Le fait qu’elles aient chang\u00e9 de place n’est pas tr\u00e8s grave et ne demandera en pratique qu’un peu d’adaptation.<\/li><\/ol>\n\n\n\n

      En effet, s\u2019il \u00e9tait imp\u00e9ratif de\nrespecter un certain ordre des banques \u00e0 l\u2019int\u00e9rieur de EPROM, ce n\u2019est plus\nn\u00e9cessaire dans le cas pr\u00e9sent : les banques peuvent \u00eatre plac\u00e9es dans le\nd\u00e9sordre \u00e0 l\u2019int\u00e9rieur de la RAM. Cela tombe bien, car nous allons devoir\nadapter le circuit imprim\u00e9 de Fran\u00e7ois S (con\u00e7u pour le brochage des 27xxx) \u00e0\nun brochage l\u00e9g\u00e8rement diff\u00e9rent (celui des 62xxx, 43xxx et 55xxx). Notre seul\nsouci sera donc de faire en sorte que cette adaptation soit la plus simple\npossible.
      \n<\/p>\n\n\n\n

      M\u00c9CANISME DE\nS\u00c9LECTION DES BANQUES n\u00b0 0 \u00e0 3<\/a><\/p>\n\n\n\n

      Le choix entre les 4 banques est contr\u00f4l\u00e9 par les signaux CS3<\/s>, CS4<\/s>, CS5<\/s> et CS6<\/s> (voir le deuxi\u00e8me tableau du Journal du Hard n\u00b015). La banque n\u00b01 est op\u00e9rationnelle lorsque CS6<\/s> est tir\u00e9 \u00e0 la masse, la n\u00b02 lorsque c’est CS5<\/s>, la n\u00b03 quand c’est CS4<\/s> et enfin la banque n\u00b04 est s\u00e9lectionn\u00e9e si est au niveau bas. Voyons cela concr\u00e8tement.<\/p>\n\n\n\n

      \"\"<\/figure><\/div>\n\n\n\n

      Au repos, les broches A14 et A15 sont tir\u00e9es au niveau haut par une r\u00e9sistance de 4,7 kohms. C’est le quart le plus haut de la demi-RAM qui est “s\u00e9lectionn\u00e9”, mais en fait, il n’est pas en ligne car le Chip Enable n’est pas valid\u00e9. Suivez sur la figure 16. La broche CE1<\/s> est maintenue au niveau haut (puce non s\u00e9lectionn\u00e9e) par une r\u00e9sistance de 4,7 kohms. <\/p>\n\n\n\n

      Lorsque l’un des 4 signaux CS3<\/s>, CS4<\/s>, CS5<\/s> ou CS6<\/s> est mis \u00e0 la masse par le TELESTRAT, la diode correspondante, c’est \u00e0 dire l’une des diodes du premier groupe (n\u00b0l \u00e0 4), devient conductrice et tire la broche CE1<\/s> au niveau bas, ce qui valide la puce (oui, toute la puce, mais seule une demi-RAM est “s\u00e9lectionn\u00e9e” par action de l\u2019inter sur A16). Ce niveau bas de CE1<\/s> ne se r\u00e9percute pas sur les autres lignes, car les 3 autres diodes de ce premier groupe ne peuvent conduire \u00e0 contre sens.<\/p>\n\n\n\n

      Lorsque la ligne de commande CS6<\/s> est mise \u00e0 la masse par le TELESTRAT, A15 est alors tir\u00e9e au niveau bas, gr\u00e2ce \u00e0 la diode n\u00b08 qui devient conductrice.<\/p>\n\n\n\n

      Si CS5<\/s> est mise \u00e0 la masse, alors A14 est tir\u00e9e au niveau bas, gr\u00e2ce \u00e0 la diode n\u00b06.<\/p>\n\n\n\n

      Mais quand la ligne CS4<\/s> est mise \u00e0 la masse, les deux lignes A14 et A15 sont misent ensemble au niveau bas (diodes 5 et 7).<\/p>\n\n\n\n

      Vous pouvez v\u00e9rifier que CS3<\/s> se contente de valider la puce et donc que la banque correspondante (n\u00b04) se trouvera tout en haut de la demi-RAM (A15 haut et A14 haut). La banque n\u00b02 viendra ensuite (A15 haut et A14 bas) puis la banque n\u00b01 (A15 bas et A14 haut) et enfin la banque 3 (A15 bas et A14 bas).<\/p>\n\n\n\n

      Enfin, une nouvelle broche WE<\/s> (Write Enable, validation de la RAM en \u00e9criture) fait son apparition par rapport aux EPROM. Le circuit imprim\u00e9 n’avait pas \u00e9t\u00e9 pr\u00e9vu pour et l\u00e0 encore, il faudra effectuer une petite adaptation. Cette broche WE<\/s> est directement pilot\u00e9e par le TELESTRAT, qui la met au niveau bas lorsqu\u2019il veut \u00e9crire dans la RAM.<\/p>\n\n\n\n

      MISE EN PRATIQUE<\/a><\/p>\n\n\n\n

      Puisque vous n’aurez qu’une seule cartouche RAM \u00e0 construire, inutile de modifier le trac\u00e9 du circuit imprim\u00e9 de la big-cartouche pour ce nouveau brochage. Il suffira de couper 3 pistes et d’ajouter quelques straps, pour adapter le circuit originel de Fran\u00e7ois S .Vous devrez donc distinguer deux types de “big-cartouche”: celles pour EPROM et celles pour RAM<\/p>\n\n\n\n

      Finalement, la figure 17 r\u00e9v\u00e8le l’implantation d’une 621001 sur le circuit imprim\u00e9 de la “big-cartouche”. Les modifications \u00e0 faire sont minimes, mais le nombre de composants est assez \u00e9lev\u00e9: un interrupteur (d’aussi petite taille que possible), une capacit\u00e9 de 100nF, 4 r\u00e9sistances de 4,7 kohms, 8 diodes de type 1N4148 (ou une des nombreuses diodes \u00e9quivalentes, mais de petite taille si possible), un support de circuit int\u00e9gr\u00e9 \u00e0 32 broches, une RAM 621001, 431000, 551001, 621000 ou 628128 et l’outillage de base habituel <\/p>\n\n\n\n

      \"\"<\/figure>\n\n\n\n
      \"\"<\/figure>\n\n\n\n

      Effectuez\nles 3 coupures en premier, puis construisez votre cartouche en suivant ligne\napr\u00e8s ligne le sch\u00e9ma de la figure 16. C’est le seul moyen de minimiser les\nerreurs. Rappelons en effet un point crucial Selon toute vraisemblance, sauf si\nvous \u00eates un professionnel, les travers\u00e9es de votre carte n’ont pas \u00e9t\u00e9\nm\u00e9tallis\u00e9es La continuit\u00e9 \u00e9lectrique doit donc \u00eatre assur\u00e9e en pla\u00e7ant une\ncosse (ou un simple bout de fil) dans les trous correspondant \u00e0 chacune de ces\ntravers\u00e9es et \u00e0 souder cette cosse sur les pistes des deux cot\u00e9s de la carte.\nD’o\u00f9 la n\u00e9cessit\u00e9 de suivre le sch\u00e9ma de principe! Il faudra tout r\u00e9viser dans\nle d\u00e9tail avant de proc\u00e9der aux essais.<\/p>\n\n\n\n

      LES ESSAIS<\/a><\/p>\n\n\n\n

      Nous avons perdu beaucoup de temps faute d\u2019avoir effectu\u00e9\nles bons essais. Ne faites pas comme nous. En effet, qui dit extension RAM, dit\nRAM-DISK et c’est bien tentant de se contenter de cr\u00e9er un disque virtuel D,\npuis d’\u00e9crire quelques fichiers dessus et de faire un DIR. C’est bien, mais ce\nn’est pas suffisant Bootez plut\u00f4t votre TELESTRAT avec une cartouche TELE-ASS \u00e0\ngauche et votre big-RAM \u00e0 droite. Et proc\u00e9dez aux essais suivants:<\/p>\n\n\n\n

      1. Choisissez\nl’option TELE-ASS.<\/li>
      2. Tapez\nBANK1 puis MODIF #C000 puis CTRL\/A puis le message “Ceci est la banque\n1” (ou ce que vous voudrez) puis ESC (tout ceci pour \u00e9crire un message\nidentifiant la banque 1).<\/li>
      3. Proc\u00e9dez\nde m\u00eame avec les trois autres banques: BANK2 … “Ceci est la banque 2”\netc…<\/li>
      4. Retapez\ntour \u00e0 tour BANK1, BANK2, BANK3 et BANK4, suivi d’un DUMP #C000 et vous devez\nretrouver vos 4 messages au bon endroit. Si ce n’est pas le cas, re-v\u00e9rifiez\nvotre cartouche, il doit y avoir une diode soud\u00e9e au mauvais endroit. Un peu de\nr\u00e9flexion devra alors vous guider.<\/li><\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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